半导体Nch是指n型沟道型场效应晶体管(n-channel MOSFET)中的沟道区域,其中N代表掺杂的材料为负性电子(电子)。

掺杂是指在半导体材料中加入一定量的杂质原子,以改变其导电性质。在n型半导体中,掺入少量的杂质原子(如磷)可以增加自由电子的浓度,从而提高导电性能。在Nch MOSFET中,沟道区域是由n型材料掺杂形成的,以实现电流的控制和放大。

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